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| 品牌 | ULVAC/日本爱发科 | 供货周期 | 两周 |
|---|---|---|---|
| 应用领域 | 化工,能源,电子/电池,汽车及零部件,电气 |
日本进口ULVAC爱发科 UR多级罗茨干式真空泵
日本进口ULVAC爱发科 UR多级罗茨干式真空泵
| 系列 | 泵体恒温区间 | 工艺等级 | 核心适用 |
|---|---|---|---|
| LR | 低温均热(60–90℃) | 洁净轻度工艺 | PVD、Loadlock、无腐蚀镀膜 |
| HR | 高温均热(120–150℃) | 标准腐蚀工艺 | 普通 CVD、常规干法刻蚀、灰化 |
| UR | 超高温全域伴热(150–200℃) | 重度腐蚀 / 高沉积硬工艺 | ALD、多晶硅 LPCVD、金属刻蚀、硅长晶、大量氯化铵 / 氟化物副产物 |
| 型号 | 50Hz 抽速 (m³/h) | 60Hz 抽速 (m³/h) | 极限真空 (Pa) | 电机功率 | 进气法兰 | 整机重量 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| UR421-T | 410 | 598 | 0.05 | 30kW | ISO100 | 415kg |
| UR600 | 653 | 700 | 0.05 | 37kW | ISO100 | 460kg |
| UR1200 | 1090 | 1170 | 0.005 | 45kW | ISO160 | 530kg |
| UR1800 | 1750 | 1920 | 0.005 | 55kW | ISO160 | 620kg |
| UR3601 | 3580 | 4450 | 0.005 | 75kW | ISO200 | 880kg |
全多级转子腔体恒温150~200℃,高于 HR 最高 150℃阈值;
进气口、泵腔、排气段全程同步控温,支持外接排气管伴热;
杜绝 NH₄Cl、金属氟化物、硅氯化物低温冷凝结块,HR 无外置管路伴热功能,重沉积工艺极易堵泵;
连续 24h 量产运行,泵腔积粉量比 HR 降低 70% 以上,大幅拉长保养周期。
转子、气缸、各级隔板采用双层超硬防腐涂层,耐 HF、HCl、Cl₂、各类卤素腐蚀介质;HR 仅单层防腐涂层;
全段多级分段氦气屏蔽轴封,轴封吹扫氮气流量比 HR 提升 40%,阻挡粉尘侵入轴承;
全封闭屏蔽防爆电机(Canned Motor),真空腔与润滑油腔隔离,零介质泄漏风险,适配晶圆洁净防爆车间。
罗茨转子加大间隙设计,不易卡粉;
各级腔体预留吹扫分支,可分段通入高纯 N₂冲刷沉积粉体;
大口径进出气法兰,不易堵管,适配硅长晶、多晶硅 CVD 超大粉尘工况。
1000ms 电网瞬停保护:突发断电恢复后自动重启,刻蚀 / ALD 连续生产不宕机;
标配 RS485 工业通讯,可远程读取温度、真空、吹扫流量、累计运行时长、故障代码;
可选 ECO-SHOCK 节能模块:极限真空待机工况节电最高 80%,大幅降低大厂电费;
一体式加厚消音箱体,运行噪音 70~74dB (A),支持洁净车间就近摆放;
全机水冷强化回路,大流量冷却水通道,超高温工况不超温报警。
冷却水:水压 0.2~0.5MPa,最小流量≥6L/min,进水温度≤22℃(水温过高会削弱超高温均热效果);
吹扫介质:干燥高纯氮气,总吹扫流量 8~12SLM(高于 HR 的 5SLM);
前端必须配套工艺粉尘过滤器,禁止无过滤直抽高浓度粉体;
环境:Class1000/10000 半导体洁净厂房,通风良好,废气管路全程保温伴热。
ALD 原子层沉积(氧化铝、氮化铝等高升华副产物工艺)
LPCVD 多晶硅、氮化硅、氧化硅批量沉积(大量硅粉尘 + 氯化铵)
金属层干法刻蚀、高深宽比通孔刻蚀(高氟 / 氯腐蚀气体)
硅单晶长晶炉、外延炉排气(超大流量硅粉体)
第三代半导体 SiC/GaN 刻蚀、薄膜沉积
选 UR:ALD、LPCVD 多晶、金属刻蚀、硅长晶、副产物易升华结块、需要排气管伴热、24h 重度腐蚀量产线
选 HR:常规 PECVD、硅刻蚀、等离子灰化,无大量氯化铵沉积、无需管路伴热
选 LR:PVD 溅射、Loadlock 预抽、分子泵前级、洁净无腐蚀氮气 / 空气工艺
选 LS 螺杆:锂电烘烤、冻干、通用干燥、追求静音低功耗,无腐蚀粉尘