简要描述：Krosaki 黒崎播磨半导体陶瓷 ESC 静电吸盘
黑崎播磨专注于三大领域：“精细陶瓷"、“电子元件烧制材料"和“热陶瓷"，并在每个领域都开发旗舰产品。此外，
还提供定制产品，根据每位客户的需求量身打造最佳陶瓷产品。

品牌基础定位

1. ESC 静电吸盘 / 一体化陶瓷加热器（对标 Shinko、NGK、NTK）；

2. 全腔体配套陶瓷消耗件（边缘环、内衬、聚焦环、绝缘套筒、气体喷淋盘等）；

   核心优势：一体共烧多层陶瓷、低杂质 UHP 高纯配方、等离子耐蚀陶瓷涂层、大尺寸异形件精密扩散接合工艺，适配刻蚀、CVD、PVD、ALD、离子注入全工艺腔体

一、ESC 静电吸盘全系列（标准量产型号体系）

命名规则

• KH = Krosaki Harima 原厂 ESC 基代号

• A = Al₂O₃氧化铝库仑型；N = AlN 氮化铝 JR 型（内置加热）

• 150/200/300：6/8/12 英寸晶圆

• MH2/MH3/MH5/MH8：2/3/5/8 分区独立温控

• 后缀：UHP 超高纯、LT 低温、HT 高温、NM 无磁、Emb 微凸点

1）KH-A 氧化铝库仑型 ESC（经济型，无内置加热层）

6 寸 φ150

8 寸 φ200（量产通用替换款）

12 寸 φ300

特性：无内置加热，需搭配外部水冷基座，耐卤素等离子、低成本、长维护周期

6 寸 φ150（SiC/GaN 研发线）

1. KH-N-150-MH2 双区标准款

2. KH-N-150-MH2-LT 低温深沟槽蚀刻

3. KH-N-150-MH2-HT 高温薄膜工艺

4. KH-N-150-UHP-MH2 第三代半导体低颗粒专用

8 寸 φ200（功率器件、8 寸存储产线流通主力）

1. KH-N-200-MH3 三区通用（市面替换量最大）

2. KH-N-200-MH5 五区高精度均温

3. KH-N-200-MH3-LT 超低温蚀刻腔体

4. KH-N-200-MH5-HT 高温 PECVD/ALD

5. KH-N-200-UHP-MH5 成熟逻辑低污染规格

6. KH-N-200-NM-MH3 无磁电子束专用

12 寸 φ300（7–28nm 优良逻辑、存储、EUV 配套）

1. KH-N-300-MH5 5 分区量产标准标配

2. KH-N-300-MH8 8 分区ji致均温旗舰

3. KH-N-300-MH5-LT 低温高深宽比蚀刻

4. KH-N-300-MH8-HT 高温原子层沉积

5. KH-N-300-UHP-MH8 头部晶圆厂新机gao端款

6. KH-N-300-Emb-MH5 微凸点盘面，超薄晶圆防颗粒

3）KH-CH-N 纯氮化铝陶瓷加热器（无静电吸附功能）

• KH-CH-N-150-MH2 / KH-CH-N-150-HT

• KH-CH-N-200-MH3 / KH-CH-N-200-MH5 / KH-CH-N-200-HT

• KH-CH-N-300-MH5 / KH-CH-N-300-MH8 / KH-CH-N-300-HT（最高 800℃高温）

KH-A vs KH-N ESC 核心参数对比

四、黒崎播磨核心技术特点

1. 共烧一体化工艺

   AlN ESC 电极、加热层、陶瓷基板氮气气氛一次高温烧结，无有机粘接层，杜绝高温分层、脱胶失效，等离子寿命优于粘接式 ESC；

2. UHP 超高纯陶瓷配方

   金属杂质含量 ppb 级别，适配优良 7–28nm 逻辑存储产线颗粒管控；

3. 陶瓷表面复合涂层

   Yttria 氧化钇等离子耐蚀涂层，大幅延长卤素工艺腔体陶瓷件寿命；

4. NEXCERA du家低膨胀材料

   区别 Shinko、NGK、NTK 三大竞品，du有零膨胀陶瓷产品线，覆盖高精度检测 / 曝光设备；

5. 全配套一站式方案

   同厂供应 ESC、边缘环、喷淋头、内衬、绝缘件，材质匹配无兼容污染风险。