更新时间:2026/5/30 16:55:55

成立:2001 年;上市:2010 年深交所 A 股
总部:北京;六大研发基地(京 / 沪 / 深 / 成 / 西 / 锡)
2025 营收:393.53 亿元;全球半导体设备商第 6、国内第 1
定位:中国**平台型半导体设备商,真空 + 半导体全产业链自研
刻蚀、沉积(PVD/CVD/ALD)、清洗、热处理、离子注入全覆盖
14–28nm 成熟制程量产,7nm 攻坚
干式螺杆泵(EST 级):半导体 CVD / 刻蚀,耐粉尘腐蚀
多级罗茨干泵(ESA 级):LED/MOCVD 氢气工况
分子泵:高真空刻蚀 / 溅射
子公司:北方华创真空(泵 + 系统龙头)
真空泵(对标 EBARA/Edwards):
真空热处理、镀膜、锂电真空干燥设备
真空计、阀门、射频电源、阻容元件
成功案例
合作时间:2010 年至今,深度绑定 15 年 +
设备占比:28nm 成熟制程刻蚀 / 沉积 / 炉管国产市占 30%+;14nm 进入主力基线;7nm 进入验证 + 小批量
核心交付:
刻蚀机(NMC612D/Accura):累计出货3200 + 腔,14nm 良率对标国际大厂
PVD/CVD:28nm 量产、14nm 通过验证
热处理立式炉:出货1000 + 台,国内市占**
业绩贡献:中芯为**大客户(≈18–25% 营收);2025 年单笔订单120 亿元
意义:国内**能给中芯提供 “除光刻机外全前道设备” 的厂商,打破泛林 / 应用材料垄断
合作时间:2017 年至今,联合研发深度绑定
设备占比:三期项目国产设备占比 50%+,华创为*大国产供应商
核心交付:
高深宽比刻蚀机:128→232 层通孔刻蚀,深宽比 > 100:1,良率提升5%+
薄膜沉积(PECVD/ALD):存储层堆叠主力设备
真空干泵(ESA/EST):替代 EBARA,全机台批量应用
业绩贡献:长江存储为**大客户(≈15–18% 营收)
意义:全球仅 2–3 家可供应 200 + 层 3D NAND 刻蚀 / 沉积设备,打破东京电子 / 泛林垄断
合作时间:2018 年至今,基线级战略伙伴
设备占比:整体采购 **≈45%**;刻蚀机市占 50%+;12 英寸 TSV(先进封装)市占 50%+
核心交付:
刻蚀 + PVD+CVD + 清洗 + 炉管:DDR5/LPDDR5X全量量产
HBM3/3E 配套设备:联合研发,2025 年批量交付
真空干泵 / 分子泵:刻蚀 / 沉积 / 离子注入标配
业绩贡献:长鑫 IPO 募资295 亿,236 亿用于设备,华创为*大受益方
意义:全球**非日韩系 DRAM 设备主力供应商,支撑中国 DRAM 自主可控
应用场景:刻蚀、CVD、PVD、离子注入、MOCVD全工艺
核心产品:
EST 级干式螺杆泵:耐粉尘 / 腐蚀,替代 EBARA EST,中芯 / 长江 / 长鑫批量装机
ESA 多级罗茨干泵:MOCVD 氢气工况,LED / 功率半导体市占**
分子泵:高真空刻蚀 / 溅射,国产市占 40%+
交付规模:累计出货 **>5000 台 **,国产干泵市占 60%+
意义:国内**可在半导体苛刻工艺全环节批量替代进口干泵的企业
客户:宁德时代、比亚迪、中**航、亿纬锂能
核心交付:
真空干燥炉:18650/21700 / 大圆柱全系列,水分 < 50ppm,市占 30%+
复合集流体 PVD 镀膜设备(eMeridian RR-M):替代进口,良率 98%+,2024 年量产交付
意义:锂电真空设备国产龙头,支撑中国锂电全球竞争力
产品:ARC/Al 背场 PVD,PERC→TOPCon→HJT全路线
规模:累计出货 **>800 台 **,国产市占 25%+
设备:真空烧结炉 + 连续式 PVD + 晶界扩渗炉
指标:氧含量10–30ppm,磁体矫顽力提升10%+
荣誉:国内**、国际**,获稀土行业科技进步奖