一、工艺制程：无 EUV 下的极限追赶（*硬核）

1）核心节点（2026 量产）

• G1：19nm（1x） → 2019 量产，成熟稳定，DDR4 主力

• G3：17nm（1y） → 当前主力（占产能 70%+），DDR5/LPDDR5X 核心，良率 **>90%**

• D1Z：16nm（1z） → 2025–2026 爬坡，跳过 17nm 部分迭代，直接四重曝光（SAQP），逼近 DUV 极限

• 无 EUV：受管制拿不到 ASML EUV，只用193nm DUV + 多重曝光，成本比韩厂低15–20%

2）国际对标（直观差距）

• 三星 / SK 海力士：12–13nm（1c）+ EUV，2024–2025 量产

• 美光：14–16nm（1β）+ DUV，2025 量产

• 长鑫：16–17nm（D1Z/G3）+ DUV 多重曝光 → 整体落后半代～一代，但差距在快速缩小

二、产品矩阵：全系列追平，**开始突破

1）DDR5（服务器 / PC 主力，2026 已量产）

• 速率：*高 8000Mbps，颗粒容量16Gb/24Gb

• 功耗：比 DDR4 低20%，带片内 ECC，稳定性强

• 模组：UDIMM/RDIMM/MRDIMM 全系列，服务器已进主流供应链

2）LPDDR5/5X（移动端**，2025–2026 爆发）

• LPDDR5X：*高 10667Mbps（追平三星 / 海力士），12Gb/16Gb 颗粒

• **uPOP® 超薄封装（0.58mm），业内*薄之一

• 2026-04：LPDDR6 送样，速率 12.8Gbps，预计2026 下半年****，里程碑级

3）HBM3（AI 高带宽，2025–2026 小批量）

• 12 层堆叠 HBM3，带宽819.2GB/s，已向华为送样

• quanqiu第四家掌握 HBM3（前三：三星 / SK 海力士 / 美光）

• 计划2027 推 HBM3e，追赶速度极快

4）车规级（2025 通过 AEC-Q100）

• **-40℃～125℃** 宽温，已进比亚迪、蔚来供应链

三、研发投入 + **：强度超国际jutou，壁垒扎实

1）研发投入（2025）

• 研发费用：130 亿元，费用率23.7%（三星 / SK 海力士仅8–10%）

• 研发团队：5800 人，45% 硕博，核心团队来自三星 / 海力士 / 奇梦达

2）**（截至 2026）

• 累计**：5500 + 项，授权 2800 + 项，发明**占75%

• 基础：2018 年拿下德国奇梦达（Qimonda）全套 2.8Tb 技术 + 2 万份**（含 5000 + 美国**），直接绕开三星 / 海力士