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| 品牌 | OTSUKA/大塚电子 |
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日本进口Otsuka大塚晶圆薄膜膜厚测量仪器
日本进口Otsuka大塚晶圆薄膜膜厚测量仪器
硅片范围：6–400 μm
树脂 / 胶层范围：10–1000 μm
重复精度：≤±0.01%
采样速度：5 kHz（200 μs）
光斑直径：φ20–27 μm
工作距离 WD：50/80/120/150/200 mm
硅片范围：10–775 μm
树脂 / 胶层范围：20–1500 μm
精度 / 速度 / 光斑 / WD：同 SF-3/200
硅片范围：20–1000 μm
树脂 / 胶层范围：40–2000 μm
精度 / 速度 / 光斑 / WD：同 SF-3/200
硅片范围：50–1300 μm
树脂 / 胶层范围：100–2600 μm
精度 / 速度 / 光斑 / WD：同 SF-3/200
测量原理：光谱干涉 + FFT 多层解析（**算法）
层数：*多5 层同步测量
接口：LAN（TCP/IP）、I/O 触发
尺寸：123×224×128 mm
光源：半导体激光（Class 3B）
薄晶圆 / 超薄晶圆：200mm 减薄到 50–200 μm（如功率器件、CMOS 影像传感器）
临时键合（Temporary Bonding）：超薄硅 + 树脂胶层 + 支撑基板，测硅层 + 胶层
Backgrind 研磨终点控制：超薄片防破片，非接触在线监控
化合物半导体：GaAs、InP 薄片（10–300 μm）
300mm 标准晶圆：原始厚度 725 μm、研磨后 500–700 μm
CMP 后厚度均匀性：氧化层 / 硅层残留厚度映射
TSV 中段 / 后段：硅层厚度（不含通孔）、SiO₂ 绝缘层
键合晶圆（Bonded Wafer）：硅 - 硅键合、硅 - 玻璃键合，测上下硅层 + 中间胶层
厚硅晶圆：功率器件（IGBT、MOSFET）原始片 800–1000 μm
玻璃基板 / 石英：LCD、OLED、掩模版基板（500–1000 μm）
厚胶层 / 厚膜：临时键合厚胶（200–2000 μm）、封装填充层
450mm 大晶圆：下一代超厚原始片（1000–1300 μm）
TSV 深硅层：高纵深比 TSV，硅层厚度 800–1200 μm
厚支撑基板：临时键合用玻璃 / 硅支撑（1000–1300 μm）
特殊封装：SiP 厚基板、嵌入式芯片载板
在线研磨机：探头装在研磨轮侧，实时反馈厚度→自动补偿，良率↑、破片↓
EFEM/Load Port：搭配 GS-300 做厚度 + 翘曲 + 平坦度一体化量测
自动 Mapping：Rθ/XY 平台，生成厚度分布彩色映射图（2D/3D）
型号：SF-3/200（6–400μm）、SF-3/300（10–775μm）、SF-3/1300（50–1300μm）
用途：硅 / 化合物半导体晶圆厚度、SiO₂/SiN 膜、TSV 晶圆层厚、临时键合晶圆各层厚度
特点：非接触、高速（10ms 内）、多层分析、穿透保护膜测量
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