简要描述：日本进口Otsuka大塚高精度自动化膜厚仪
日本 Otsuka（大塚）集团旗下涉及半导体业务的主体为大塚电子（Otsuka Electronics） 和大塚化学（Otsuka Chemical），产品聚焦半导体量测设备与电子化学品 / 功能材料两大类，一、大塚电子（Otsuka Electronics）：半导体量测设备 核心产品线：膜厚测量、晶圆几何量测、显微光谱分析、缺陷检测、光学特性评价。

1. FE 系列（FE-300/3700/5700/5000） —— 独立台式 / 离线膜厚仪（你说的 Stand-alone 膜厚測定機）

2. LS 线扫描系列 —— 离线 / 在线大面薄膜测厚，有时也被混称为 TE

一、FE 系列（Stand-alone 台式膜厚仪，常被称为 TE）

1）FE-300 系列（入门通用型）

• FE-300V：标准型（Vis 可见光）

• FE-300UV：紫外增强型

• FE-300NIR：近红外厚膜型

• 测量原理：反射分光干涉 + **反射率分析

• 膜厚范围：

• FE-300UV：1 nm ~ 30 μm

• FE-300V：3 nm ~ 50 μm

• FE-300NIR：16 nm ~ 300 μm

• 波长：

• UV：230–800 nm

• VIS：360–1100 nm

• NIR：900–1600 nm

• 单点测量时间：≤1 s

• 光斑：φ20 μm

• 可解析层数：*多 10 层

• 尺寸：台式小型机，约 350×450×200 mm

• 200 mm 晶圆量产抽检：SiO₂、SiN、光刻胶（PR）、多晶硅厚度

• R&D 小批量：实验室离线测厚、工艺条件筛选

• 封装 / 载板：干膜、阻焊层、PI 膜、环氧树脂层

• 化合物半导体：GaAs、InP 上介质膜 / 金属膜厚

2）FE-3700 / FE-5700（高精度、自动化型）

• 波长：230–1700 nm（UV–NIR 宽带）

• 膜厚：1 nm ~ 500 μm

• 重复性：≤±0.05 nm（超薄膜）

• 平台：全自动 XYθ 平台（300 mm 兼容）

• 映射：2D/3D 厚度分布图

• 层数：*多 20 层解析

• 300 mm 晶圆厂离线质检：CMP 后氧化层残留、STI 浅沟槽、ILD 层间介质

• 光刻工艺：PR 膜厚 + 均匀性检测（曝光前 / 后）

• 超薄高 k 介质：几 nm–几十 nm HfO₂、Al₂O₃ 等

• 功率器件：厚场氧、钝化膜、外延层测厚

3）FE-5000 / 5000S（光谱椭偏，**膜厚 / 光学常数）

• 测量方式：光谱椭偏 + 反射率

• 波长：190–1700 nm

• 膜厚：0.1 nm ~ 500 μm

• 可测：膜厚 + 折射率 n + 消光系数 k

• 自动变角：45°–90° 自动入射角

• 解析能力：多层膜、梯度膜、超晶格