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| 品牌 | OTSUKA/大塚电子 |
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Otsuka大塚 OPTM系列分光式非接触膜厚计主打微区、超薄 / 多层、纳米级精度、可测 n/k，常被称为 “小型椭偏替代机"。
Otsuka大塚 OPTM系列分光式非接触膜厚计原理：显微光谱反射率 + 干涉解析（非接触、无损）
核心：小光斑（φ3 μm）、1 秒 / 点、*多 50 层膜、可测透明 / 半透明膜
二、型号体系（结构 × 波段）
1）按机械结构（3 类）
OPTM‑A：自动 XY 平台（离线 / 实验室、整片 Mapping）
OPTM‑F：固定台架（研发 / 单点量测）
OPTM‑H：分体探头（嵌入产线、Inline）
2）按波段 / 测厚范围（3 档，SiO₂基准）
| 型号 | 波长范围 | 膜厚范围 | 核心用途 |
|---|---|---|---|
| OPTM‑A1/F1/H1 | 230–800 nm（UV–Vis） | 1 nm ~ 35 μm | 超薄膜、光刻胶、SiO₂/SiN |
| OPTM‑A2/F2/H2 | 360–1100 nm（Vis–NIR） | 7 nm ~ 49 μm | 通用膜、ITO、PI、OLED |
| OPTM‑A3/F3/H3 | 900–1600 nm（NIR） | 16 nm ~ 92 μm | 厚膜、树脂、SiC/GaN、厚胶 |
三、核心参数（全系列共性）
*小光斑：φ3 μm（显微聚焦，微区 / 图案区量测）
测量时间：≤1 秒 / 点（含自动对焦 + 解析）
层数解析：*多 50 层 同步（含超薄 + 厚膜叠层）
精度：SiO₂ 重复精度 ≤±0.1 nm；n/k 同步输出
平台（A 系列）：300 mm 兼容 XYθ 自动平台，2D/3D Mapping
特色**：透明基板去除背面反射，真实膜厚 / 折射率
四、半导体运用场景（按工艺）
1）优良制程（7–28 nm）
超薄栅氧 / 高 k：1–10 nm HfO₂、Al₂O₃、SiO₂（A1 **）
FinFET/GAA：侧墙、间隔层、SiGe 外延层厚度 + 组分（n/k）
STI/ILD：浅沟槽氧化层、层间介质厚度均匀性（A1/A2）
2）光刻 / 掩模
光刻胶（PR）：100 nm–10 μm，曝光前后膜厚 + 均匀性（A1）
硬掩模 / 抗反射层（ARC）：超薄叠层（A1）
3）功率 / 化合物半导体
SiC/GaN：外延层、钝化膜、厚氧化层（A3，近红外穿透）
IGBT/MOSFET：厚场氧、钝化膜、保护层（A2/A3）
4）晶圆 / 封装
临时键合：超薄硅 + 胶层 + 支撑基板，微区测胶厚（A2/A3）
TSV 周边：硅表面绝缘层、钝化膜（A1/A2）
载板 / PI / 干膜：5–50 μm 厚膜、均匀性（A2/A3）
5）FPD / 光学（延伸）
OLED/ITO：透明导电膜、有机层（A2）
光学镀膜：AR/HR/DLC、滤光片多层膜（A1/A2）
五、选型速记（半导体优先）
超薄膜（1–100 nm） → OPTM‑A1（UV）
通用膜 / 光刻胶（1–50 μm） → OPTM‑A2（Vis）
厚膜 / 树脂 / SiC（10–90 μm） → OPTM‑A3（NIR）
离线 Mapping / 整片检测 → A 系列（自动平台）
产线 Inline 嵌入 → H 系列（分体探头）
六、与 FE/SF‑3 区别（快速区分）
FE（TE）：大光斑（φ20 μm）、整片平均 / 抽检，量产离线
SF‑3：穿透式、测晶圆厚度 + 胶层，研磨 / 键合在线
OPTM：显微小光斑（φ3 μm）、微区 / 图案区、多层 + nk，研发 / 优良制程 / 微区失效分析
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