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| 品牌 | SHINKO/日本新光 |
|---|
SHINKO新光電気 ESC陶瓷静电吸盘8寸晶圆
SHINKO新光電気 ESC陶瓷静电吸盘8寸晶圆
陶瓷基材：高纯氧化铝 Al₂O₃（标准）、定制 AlN 氮化铝高导热款
陶瓷厚度：0.8～10.0mm 按需定制
工作温区：-20℃ ～ +200℃
表面工艺：氦沟槽、微凸点 emboss、粗糙度定制、等离子耐蚀涂层
内置结构：单 / 多区加热层、双极 / 单极埋入电极、铜 / 铝水冷基座、氦气冷却流道
| 项目 | SC-C 库仑型 | SC-J JR 迥斯热背型 |
|---|---|---|
| 吸附力 | 中等，高电压稳定 | 强，低压即可饱和吸附 |
| 漏电流 | 极低，几乎无漏电 | 可控微量漏电流（JR 原理bi备） |
| 温控均匀性 | 一般（单区为主） | ji佳，多分区可选 |
| 适用工艺 | 灰化、PVD、成熟制程 CVD | 干法刻蚀、离子注入、优良 PECVD |
| 成本 | 较低 | 偏高（gao端产线主流） |
| 翘曲晶圆适配 | 差 | 优秀，超薄硅片不滑移 |
SC-J-200：基础 JR 型
SC-J-200-H：单区加热
SC-J-200-MH3：三区（8 寸刻蚀zui通用）
SC-J-200-MH5：五区高精度控温
SC-J-200-L：低温工艺专用
SC-J-200-HT：220℃高温型
SC-J-200-AlN-MH3：AlN 三区高导热
SC-J-200-UHP-MH5：超高纯五区
SC-J-300-H：单区加热经济型
SC-J-300-MH5：5 分区标准量产款（主流）
SC-J-300-MH8：8 分区ji致均温（7–28nm 蚀刻）
SC-J-300-L：低温深沟槽蚀刻
SC-J-300-HT：高温薄膜工艺
SC-J-300-AlN-MH8：氮化铝 8 区高热传导
SC-J-300-UHP-MH8：超高纯低颗粒旗舰
干法蚀刻 Etch（SC-J 全系列主力）
PECVD/HDPCVD 薄膜沉积（SC-C、SC-J 通用）
PVD 金属 / 介质溅射
等离子灰化、去光阻 Ashing（SC-C 为主）
离子注入机晶圆载台
SiC/GaN 第三代半导体专用定制 SC-T 系列
12 寸优良逻辑、存储产线 SEI-S 智能系列
H：单区内置加热
MH2/MH3/MH5/MH8：2/3/5/8 分区独立温控
AlN：氮化铝高导热陶瓷基材（标准为 Al₂O₃氧化铝）
UHP：超高纯陶瓷，0.1μm 颗粒管控
L：低温专用（-20℃起）
HT：高温强化（最高 220℃）
C：库仑型 / J：JR 迥斯型 / SEI-S：智能一体化系列
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