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SEI-S-300-MH8厂商性质
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SHINKO新光電気 智能集成 ESC陶瓷静电吸盘 新光電気工业（SHINKO）日本原厂陶瓷静电吸盘为半导体前道核心部件，覆盖 6/8/12 英寸晶圆（最大 φ300mm），自研氧化铝陶瓷体系，分库仑型 Coulomb、JR 迥斯热背型两大吸附原理，陶瓷烧结 - 电极埋入 - 粘接基座 - 精密加工全制程自产，配套刻蚀 Etch、灰化 Ashing、CVD/PVD、离子注入设备
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SEI-S-300-MH5厂商性质
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SHINKO新光電気 智能集成 ESC陶瓷静电吸盘 新光電気工业（SHINKO）日本原厂陶瓷静电吸盘为半导体前道核心部件，覆盖 6/8/12 英寸晶圆（最大 φ300mm），自研氧化铝陶瓷体系，分库仑型 Coulomb、JR 迥斯热背型两大吸附原理，陶瓷烧结 - 电极埋入 - 粘接基座 - 精密加工全制程自产，配套刻蚀 Etch、灰化 Ashing、CVD/PVD、离子注入设备
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SEI-S-200-MH5厂商性质
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SHINKO新光電気 智能集成 ESC陶瓷静电吸盘 新光電気工业（SHINKO）日本原厂陶瓷静电吸盘为半导体前道核心部件，覆盖 6/8/12 英寸晶圆（最大 φ300mm），自研氧化铝陶瓷体系，分库仑型 Coulomb、JR 迥斯热背型两大吸附原理，陶瓷烧结 - 电极埋入 - 粘接基座 - 精密加工全制程自产，配套刻蚀 Etch、灰化 Ashing、CVD/PVD、离子注入设备
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SEI-S-200-MH3厂商性质
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SHINKO新光電気 智能集成 ESC陶瓷静电吸盘 新光電気工业（SHINKO）日本原厂陶瓷静电吸盘为半导体前道核心部件，覆盖 6/8/12 英寸晶圆（最大 φ300mm），自研氧化铝陶瓷体系，分库仑型 Coulomb、JR 迥斯热背型两大吸附原理，陶瓷烧结 - 电极埋入 - 粘接基座 - 精密加工全制程自产，配套刻蚀 Etch、灰化 Ashing、CVD/PVD、离子注入设备
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SC-J-200-UHP-MH5厂商性质
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SHINKO新光電気 ESC陶瓷静电吸盘8寸晶圆 新光電気工业（SHINKO）日本原厂陶瓷静电吸盘为半导体前道核心部件，覆盖 6/8/12 英寸晶圆（最大 φ300mm），自研氧化铝陶瓷体系，分库仑型 Coulomb、JR 迥斯热背型两大吸附原理，陶瓷烧结 - 电极埋入 - 粘接基座 - 精密加工全制程自产，配套刻蚀 Etch、灰化 Ashing、CVD/PVD、离子注入设备
