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| 品牌 | SHINKO/日本新光 |
|---|
SHINKO新光電気 智能集成 ESC陶瓷静电吸盘
SHINKO新光電気 智能集成 ESC陶瓷静电吸盘
陶瓷基材:高纯氧化铝 Al₂O₃(标准)、定制 AlN 氮化铝高导热款
陶瓷厚度:0.8~10.0mm 按需定制
工作温区:-20℃ ~ +200℃
表面工艺:氦沟槽、微凸点 emboss、粗糙度定制、等离子耐蚀涂层
内置结构:单 / 多区加热层、双极 / 单极埋入电极、铜 / 铝水冷基座、氦气冷却流道
| 项目 | SC-C 库仑型 | SC-J JR 迥斯热背型 |
|---|---|---|
| 吸附力 | 中等,高电压稳定 | 强,低压即可饱和吸附 |
| 漏电流 | 极低,几乎无漏电 | 可控微量漏电流(JR 原理bi备) |
| 温控均匀性 | 一般(单区为主) | ji佳,多分区可选 |
| 适用工艺 | 灰化、PVD、成熟制程 CVD | 干法刻蚀、离子注入、优良 PECVD |
| 成本 | 较低 | 偏高(gao端产线主流) |
| 翘曲晶圆适配 | 差 | 优秀,超薄硅片不滑移 |
SC-C-200:标准无加热
SC-C-200-H:单区加热(PVD / 灰化标配)
SC-C-200-MH3:三区独立温控
SC-C-200-MH5:五区多温区
SC-C-200-AlN-H:AlN 高导热单加热
SC-C-200-AlN-MH3:AlN 三区控温
SC-C-200-UHP-MH3:超高纯三区
SC-C-300:无加热基础款
SC-C-300-H:单区加热
SC-C-300-MH3 / MH5:3/5 分区温控
SC-C-300-AlN-MH5:氮化铝 5 区
SC-C-300-UHP:优良沉积低颗粒款
干法蚀刻 Etch(SC-J 全系列主力)
PECVD/HDPCVD 薄膜沉积(SC-C、SC-J 通用)
PVD 金属 / 介质溅射
等离子灰化、去光阻 Ashing(SC-C 为主)
离子注入机晶圆载台
SiC/GaN 第三代半导体专用定制 SC-T 系列
12 寸优良逻辑、存储产线 SEI-S 智能系列