ESC-JR 氮化铝一体烧结 JR 型静电吸盘（gao端主力）
Johnsen-Rahbek 迥斯吸附，内置多层分区加热，AlN 高导热，适配刻蚀 / ALD / 优良制程
ESC-C 氧化铝库仑型静电吸盘（经济型）
Al₂O₃基材，无内置加热，成本低，灰化、PVD、成熟 CVD 通用
CH-AlN 纯氮化铝陶瓷加热台（无静电吸附）
仅温控载具，高温退火、薄膜沉积专用，最高 700℃

二、型号命名完整规则

[系列]-[晶圆尺寸mm]-[MH分区]-[功能后缀]

ESC-JR：JR 型氮化铝加热 ESC；ESC-C：库仑氧化铝 ESC；CH-AlN：纯氮化铝加热器
150/200/300：6/8/12 英寸晶圆直径
MH2/MH3/MH5/MH8：2/3/5/8 区独立温控
后缀释义：

UHP：超高纯低颗粒，金属析出管控
LT：低温型 -20℃~80℃深沟槽蚀刻
HT：高温强化，最高 250℃（ESC）/700℃（纯加热 CH）
NM：无磁型，电子束、检测腔体专用
Emb：微凸点盘面，超薄晶圆防颗粒

全系列标准型号清单

8 寸 φ200（功率半导体、存储 8 寸产线）

ESC-JR-200-MH3 三区通用款（流通量最大）
ESC-JR-200-MH5 五区高精度均温
ESC-JR-200-MH3-LT 低温深刻蚀
ESC-JR-200-MH5-HT 高温 PECVD/ALD
ESC-JR-200-UHP-MH5 优良制程低颗粒
ESC-JR-200-NM-MH3 无磁电子束专用

12 寸 φ300（逻辑、存储 7–28nm 优良产线）

ESC-JR-300-MH5 5 区标准量产标配
ESC-JR-300-MH8 8 区ji致均温旗舰
ESC-JR-300-MH5-LT 超低温蚀刻腔体
ESC-JR-300-MH8-HT 高温 ALD 原子层沉积
ESC-JR-300-UHP-MH8 头部晶圆厂新机标配
ESC-JR-300-Emb-MH5 微凸点超薄晶圆专用

NGK 两大 ESC 系列核心对比

对比维度	ESC-C 氧化铝库仑型	ESC-JR 氮化铝 JR 加热型
陶瓷基材	高纯白色 Al₂O₃	浅灰色高导热 AlN 一体共烧
吸附原理	库仑 Coulomb	JR 迥斯热背吸附
内置加热	无	多层共烧分区加热
导热能力	普通	氧化铝 3~6 倍导热，均温 ±0.4℃以内
吸附力	中等，高压稳定	低压高吸附，翘曲晶圆不滑移
适用工艺	灰化、PVD、常压 CVD、成熟低成本腔体	干法刻蚀、ALD、HDPCVD、离子注入、优良逻辑 / 存储
耐温上限	180℃	250℃（HT 版）
成本	低	中gao端，对标 Shinko、NTK-N 系列

NGK 核心技术特点

一体共烧多层工艺
静电电极、电阻加热层、氮化铝基板一次烧结成型，无粘接分层失效风险，等离子寿命显著优于粘接式 ESC。
精准体积电阻调控
NGK du有 AlN 掺杂配方，JR 型宽温域稳定吸附，-20℃低温无脱附、高温无漏电漂移。
超低金属杂质析出
UHP 级氮化铝纯度＞99.99%，适配优良制程颗粒管控需求。
盘面工艺全覆盖
环形 / 径向氦冷却沟槽、Emboss 微凸点、镜面抛光、耐卤素等离子涂层可选。
配套完整方案
原厂匹配高压电源、一体化水冷基座、ESC 翻新修复服务，适配 TEL、AMAT、LAM、日立等日系 / 美系设备腔体。
特征
宽广的温度范围（-50 至 700°C）
它具有高强度、高导热性和高抗热冲击性。通过采用陶瓷作为介电基材并利用独特的体积电阻率控制技术，它可以在低、中、高温的宽广温度范围内工作。
耐腐蚀性
它对卤素气体（例如氟基气体）具有优异的耐腐蚀性。
晶圆背面低颗粒处理
我们通过表面处理和特殊清洗来实现低粒径。
高纯度
我们还可以处理纯度达到 99.9% 或更高的产品。
功能
NGK的静电吸盘除了具备晶圆吸附功能外，还可以配备各种附加功能。
加热
高精度加热元件嵌入技术可与陶瓷加热器集成，使晶圆表面温度控制在±1%以内。
冷却
通过将高导热性的陶瓷板粘合连接到冷却板上，实现了ji高的冷却性能。
射频电流兼容型块状电极
体电极可同时实现简单稳定的晶片吸附和射频等离子体生成。