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| 品牌 | NGK |
|---|
NGK日本碍子半导体陶瓷加热器
NGK日本碍子半导体陶瓷加热器
产品分类CH-AlN-[晶圆尺寸mm]-MHn-[后缀]CH-AlN：纯氮化铝加热盘，无静电夹持功能
150/200/300：6/8/12 英寸晶圆
MH2/MH3/MH5/MH8：2/3/5/8 分区独立温控
后缀：HT = 高温型（最高 800℃）、UHP = 超高纯低颗粒、NM = 无磁电子束专用
通过采用导热性能优异的氮化铝（AlN），并将其与电阻加热元件整体烧结，可以实现优异的加热均匀性，并显著减少金属杂质。
特征
高均匀性和宽温度范围
它采用氮化铝陶瓷，具有优异的导热性能，可实现高温均匀性。
此外，它还可在很宽的温度范围内使用（最高可达800°C）。
袖珍的
除了电阻加热元件外，块状射频电极还可以整体烧结在陶瓷内部。
此外，陶瓷轴可以直接键合到陶瓷板上。
耐腐蚀性
即使在卤素气体和氧化性气氛中，它也表现出优异的耐久性。
支持晶圆吸附
陶瓷板内的射频电极可用作晶圆吸附的静电吸盘电极。
CH-AlN-200-MH3：三区通用量产主力（市面流通最多）
CH-AlN-200-MH5：五区高精度均温，全域温差＜±0.1%@600℃
CH-AlN-200-MH3-HT：高温 PECVD、氧化炉载台
CH-AlN-200-UHP-MH5：成熟逻辑 8 寸薄膜工艺
CH-AlN-200-NM-MH3：无磁型，离子束加工设备
CH-AlN-300-MH5：5 分区标准量产标配
CH-AlN-300-MH8：8 分区ji致均温旗舰，7–28nm 制程专用
CH-AlN-300-MH5-HT：最高 800℃高温原子层沉积
CH-AlN-300-UHP-MH8：头部晶圆厂新机低颗粒规格
CH-AlN-300-Emb-MH5：盘面微凸点，超薄硅片防颗粒污染
一体共烧 AlN 结构：加热电阻层与氮化铝基板一次烧结，无粘接分层，耐卤素等离子腐蚀
导热系数≈200W/m・K，升温 / 降温速度快，全域温度均匀度≤±0.1%（600℃工况）
温域覆盖：-20℃ ~ 800℃（HT 型号上限）
盘面可选：环形氦冷却沟槽、微凸点 Emb、镜面抛光 UHP 高纯面
适配设备：ALD、LPCVD、氧化扩散炉、退火炉、薄膜沉积（无需静电夹持腔体）
| 品类 | CH-AlN 陶瓷加热器 | ESC-JR 静电吸盘 |
|---|---|---|
| 内置电极 | 仅加热电阻层，无静电吸附电极 | 加热层 + 静电夹持电极双结构 |
| 功能 | 仅晶圆加热，无吸附夹持 | 加热 + 静电吸附晶圆一体 |
| 盘面结构 | 仅氦冷却沟槽 / 微凸点 | 沟槽 + 静电电极分区 |
| 适用腔体 | 退火、氧化、ALD（不需要静电） | 干法刻蚀、离子注入、PECVD |
| 代表型号 | CH-AlN-300-MH5 | ESC-JR-300-MH5 |
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